IEC 62047-25:2016-半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法-国家标准馆·国家数字标准馆

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Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 25: Silicon based MEMS fabrication technology - Measurement method of pull-press and shearing strength of micro bonding area 半导体器件 - 微机电器件 - 第25部分:硅基存储器制造技术 - 微接合区域的拉压和剪切强度测量方法

发布日期： 2016-08-29

                IEC 62047-25:2016规定了通过硅基微机电系统（MEMS）中使用的微机械加工技术制造的微键合区域的键合强度的现场测试方法。本文件适用于微电子工艺和其他微机械加工技术制造的微键合区域的原位拉压和剪切强度测量。

IEC 62047-25:2016 specifies the in-situ testing method to measure the bonding strength of micro bonding area which is fabricated by micromachining technologies used in silicon-based micro-electromechanical system (MEMS). This document is applicable to the in-situ pull-press and shearing strength measurement of the micro bonding area fabricated by microelectronic technology process and other micromachining technology.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际电工委员会

ICS分类： 31.080.99半导体分立器件 - 其他半导体分立器件

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研制信息

归口单位： TC 47/SC 47F

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