首页 馆藏资源 标准快讯 标准数字化 呈缴征集 标准服务 关于我们
珍贵馆藏 国家标准 行业标准 地方标准 团体标准 国际（区域）标准 国外国家标准 国际性专业标准 技术法规
国内快讯 国际快讯 标准速递 馆藏上新
组织建设 标准研制 科研工作 系统工具 蓝皮书
国标呈缴 自愿呈缴 藏品征集
文献服务 知识服务 服务站点 专题服务
国家标准馆 国家数字标准馆 发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
29.045
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(346)
美国(155)
韩国(26)
俄罗斯(18)
国际组织(14)
英国(2)
标准组织
全部
国家标准(180)
美国材料与试验协会(155)
电子(74)
有色金属(50)
韩国标准(25)
国家标准研制计划(19)
俄罗斯标准(18)
国际电工委员会(12)
团体标准(11)
机械(6)
新疆维吾尔自治区(2)
英国技术法规(2)
欧洲标准化委员会(2)
欧洲技术法规(2)
江苏省(1)
福建省(1)
电力(1)
商品检验(1)
韩国技术法规(1)
更多
发布年代
全部
2026(30)
2025(14)
2024(18)
2023(11)
2022(14)
2021(20)
2020(6)
2019(17)
2018(48)
2017(12)
2016(11)
2015(32)
2014(23)
2013(15)
2012(6)
2011(7)
2010(12)
2009(36)
2008(6)
2007(5)
2006(12)
2005(3)
2004(1)
2003(3)
2002(40)
2001(11)
2000(16)
1999(14)
1998(4)
1997(17)
1996(18)
1995(7)
1994(5)
1993(6)
1992(14)
1991(6)
1989(2)
1986(1)
1984(8)
1983(1)
1981(1)
1980(1)
1978(2)
1977(2)
1976(1)
1973(5)
1970(1)
1969(1)
更多
标准状态
全部
现行(257)
作废(123)
被代替(72)
历史(64)
废止(15)
未生效(9)
已修订(3)
CCS
全部
A综合(1)
F能源、核技术(2)
H冶金(327)
J机械(1)
K电工(2)
L电子元器件与信息技术(10)
M通信、广播(1)
N仪器、仪表(3)
Q建材(4)
R公路、水路运输(1)
Y轻工、文化与生活用品(1)
更多
展开全部分类
  • 排序结果：
  • 相关性
  • 标准号
  • 发布时间
作废
ASTM F26-87a(1999)
Standard Test Methods for Determining the Orientation of a Semiconductive Single Crystal (Withdrawn 2003)
到馆提醒
收藏跟踪
确定半导体单晶取向的标准测试方法（2003年）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期： 1999-01-01
CCS分类：
作废
ASTM F40-83
Method for Preparing Monocrystalline Test Ingots of Silicon by the Vertical-Pulling (Czochralski) Technique (Withdrawn 1988)
到馆提醒
收藏跟踪
用垂直拉伸（提拉）技术制备单晶硅测试锭的方法（1988年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
废止
ASTM F41-90
Practice for Preparing Silicon Single Crystals by the Floating-Zone Technique for Evaluation of Polysilicon Ingot (Withdrawn 1996)
到馆提醒
收藏跟踪
多晶硅锭评定用浮动区技术制备硅单晶的实施规程（1996年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
废止
ASTM F80-94
Test Method for Crystallographic Perfection of Epitaxial Deposits of Silicon by Etching Techniques (Withdrawn 1998)
到馆提醒
收藏跟踪
用蚀刻技术测定硅外延沉积结晶完整性的试验方法（1998年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
作废
ASTM F120-88
Practices for Determination of the Concentration of Impurities in Single Crystal Semiconductor Materials by Infrared Absorption Spectroscopy (Withdrawn 1993)
到馆提醒
收藏跟踪
用红外吸收光谱法测定单晶半导体材料中杂质浓度的实施规程（1993年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
废止
ASTM F123-91
Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption (Withdrawn 1992)
到馆提醒
收藏跟踪
红外吸收法测定硅中取代原子碳含量的试验方法（1992年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
作废
ASTM F388-84
Method for Measurement of Oxide Thickness on Silicon Wafers and Metallization Thickness by Multiple-Beam Interference (Tolansky Method) (Withdrawn 1993)
到馆提醒
收藏跟踪
用多光束干涉法测量硅片氧化层厚度和金属化层厚度的方法（托兰斯基法）（1993年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
作废
ASTM F399-00a
Standard Test Method for Thickness of Heteroepitaxial or Polysilicon Layers (Withdrawn 2002)
到馆提醒
收藏跟踪
异质外延或多晶硅层厚度的标准试验方法（2002年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期： 2000-12-10
CCS分类：
废止
ASTM F416-94
Test Method for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers (Withdrawn 1998)
到馆提醒
收藏跟踪
抛光硅片中氧化诱导缺陷检测的试验方法（1998年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
废止
ASTM F522-94
Test Method for Stacking Fault Density of Epitaxial Layers of Silicon by Interference-Contrast Microscopy (Withdrawn 1998)
到馆提醒
收藏跟踪
用干涉对比显微术测定硅外延层层错密度的试验方法（1998年撤销）
发布单位或类别：美国材料与试验协会
发布日期：
CCS分类：
  • 关于国家数字标准馆
  • 《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。
    • 关于我们
    文献服务
  • 查标准
  • 看标准
  • 买标准
  • 译标准
  • 订单查询
    • 知识服务
  • 查新颖性
  • 查有效性
  • 跟踪标准
  • 比对标准
    • 标准数字化
  • 专题数据库
  • 标准管理系统
  • 大数据分析系统
  • 标准智能编写系统
    • 地址：北京市海淀区知春路4号
    技术支持：010-58811974/1972/1360/1341/1328
    邮箱：service@cnis.ac.cn
    访问量： 自2024年10月至今总访问量
    出版物经营许可证：新出发京批字第直170229号
    备案号：
    京ICP备10046988号-46 京公网安备11010802045562号
    ️版权归中国标准化研究院所有