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半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM） Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing—Human body model（HBM）
发布日期： 2023-09-07
实施日期： 2024-04-01
本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBMESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBMESD敏感度等级的准确划分及对比。 半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型(MM)测试方法(见IEC60749-27)或IEC60749(所有部分)中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外,本测试方法为所选方法
分类信息
发布单位或类别： 中国-国家标准
CCS分类： L40电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体分立器件综合
ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合
关联关系
研制信息
归口单位： 全国半导体器件标准化技术委员会
起草单位： 中国电子科技集团公司第十三研究所、 河北北芯半导体科技有限公司、 安徽荣创芯科自动化设备制造有限公司、 北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司、 河北中电科航检测技术服务有限公司、 捷捷半导体有限公司、 佛山市川东磁电股份有限公司
起草人： 高蕾、 张魁、 鲁世斌、 迟雷、 翟玉颖、 彭浩、 高金环、 张瑞霞、 黄杰、 赵鹏、 徐昕、 魏兵、 黎重林、 颜天宝、 金哲
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