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SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
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Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
作废
SJ/T 11499-2015
碳化硅单晶电学性能的测试方法
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Test method for measuring electrical properties of monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
SJ/T 11496-2015
红外吸收法测量砷化镓中硼含量
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Determination of boron concentration in gallium arsenide by infrared absorption
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
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Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
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Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
作废
SJ 2593-1985
高纯四氯化硅
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Pure silicon tetrachloride
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1985-07-31
ICS分类：
现行
SJ 3248-1989
重掺砷化镓和磷化铟载流子浓度的红外反射测试方法
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Methods for measuring carrier concentration of readded Gallium arsenide and Indium phosphide by infra-red reflection
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1989-03-20
ICS分类：
现行
SJ 3244.5-1989
砷化镓和磷化铟材料补偿度的测试方法
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Methods of measurement for compensation degree of Gallium arsenide and Indium phosphide materias
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1989-03-20
ICS分类：
现行
SJ 3242-1989
砷化镓外延片
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Gallium arsenide epitaxy wafers
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1989-03-20
ICS分类：
作废
SJ 3249.3-1989
半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法
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Methods of measurement for chromium concentration in semi-insulation Gallium arsenide by infra-red absorption
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1989-03-20
ICS分类：
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